photoresist(光刻胶胶概念)
资讯
2023-12-03
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1. photoresist,光刻胶胶概念?
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。
光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
中文名:光刻胶
外文名:photoresist
适用领域:
集成电路、平板显示器和半导体分离器件的制造等
所属学科:
化学>高分子化学>高分子加工技术和应用、信息科学技术、电子学>电子元器件工艺与分析技术
别名:
光致抗蚀剂
![photoresist(光刻胶胶概念)](/static/artimg/20231031/654038fa7090b.jpg)
2. 光刻胶哪个国家多?
日本的光刻胶质量是世界上最好的,产量在世界上也是最多的。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
3. 正光阻曝光原理?
光阻,亦称为光阻剂,是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术,可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。
光阻有两种,正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)
正向光阻是光阻的一种,其照到光的部分会溶于光阻显影液,而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。
负向光阻是光阻的一种,其照到光的部分不会溶于光阻显影液,而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。
4. 汽车芯片需要光刻机吗?
是的,汽车芯片生产过程中通常需要光刻机。光刻是半导体制造过程中的一个重要步骤,用于在硅片上制造微小的芯片结构和电路图案。
在汽车芯片制造过程中,光刻机被用于将芯片上的电路图案投射到光刻掩膜(photomask)上,然后再将这些图案通过光刻技术转移到硅片表面。这样可以在硅片上形成复杂的微小结构和电路图案,从而构成芯片的各种功能组件。
光刻技术在半导体制造中起到至关重要的作用,它使得芯片的制造变得更加精密和高效。对于汽车芯片,它们需要具备高可靠性、稳定性和耐久性,因为汽车芯片在汽车控制系统、传感器、安全系统等方面扮演着重要的角色。
需要指出的是,汽车芯片和传统的计算机芯片有一些区别,汽车芯片更强调对恶劣环境和长期使用的适应性,因此在芯片设计和制造过程中会考虑到更多的可靠性和耐用性因素。
5. 光刻胶化学元素?
光刻胶(photoresist,也作光致抗蚀剂,光阻),是一种由聚合物树脂(resin),光敏化合物(photoactive compound)和溶剂等混合而成的胶状液体,从成份上来讲,都是碳基有机化合物。
树脂,作为粘合剂的聚合物混合物,决定了光刻胶的机械和化学性能;
光敏化合物,决定了光刻胶的光敏感度:当受到特定波长能量束作用后,光敏化合物会分解或者聚合,激发化学反应,使受辐照区域在某些特定溶液中的溶解特性发生改变,或溶解性被增强或变得更难溶,进而形成光刻胶图案;
溶剂,则可以改变光刻胶的粘度,从而在合理的转速范围内得到所要的厚度。
6. 清华euv光刻机原理?
是利用极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)进行光刻曝光,以实现微电子芯片的制造。EUV光刻机使用的是波长为13.5纳米的极紫外光,相比传统的光刻机使用的193纳米深紫外光,EUV光的波长更短,能够实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。EUV光刻机的原理是通过使用一个称为光学系统的装置将EUV光聚焦到芯片上,然后通过掩模(Mask)上的图案来选择性地照射光刻胶(Photoresist)层。光刻胶层在光的照射下发生化学反应,形成所需的图案。然后,通过一系列的化学和物理过程,将图案转移到芯片上的硅片上,最终形成微电子芯片的结构。EUV光刻技术是当前半导体制造领域的热点技术之一。相比传统的光刻技术,EUV光刻技术具有更高的分辨率、更小的特征尺寸和更好的制造精度。它可以实现更高密度的集成电路,提高芯片性能和功能。然而,EUV光刻技术的应用还面临一些挑战,如光源稳定性、掩模技术、光刻胶的特性等。因此,清华euv光刻机的研发和应用对于推动半导体产业的发展具有重要意义。
7. 光刻胶有几个国家可以制造?
日本,中国,美国。日本的光刻胶质量是世界上最好的,产量在世界上也是最多的。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
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1. photoresist,光刻胶胶概念?
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。
光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
中文名:光刻胶
外文名:photoresist
适用领域:
集成电路、平板显示器和半导体分离器件的制造等
所属学科:
化学>高分子化学>高分子加工技术和应用、信息科学技术、电子学>电子元器件工艺与分析技术
别名:
光致抗蚀剂
2. 光刻胶哪个国家多?
日本的光刻胶质量是世界上最好的,产量在世界上也是最多的。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
3. 正光阻曝光原理?
光阻,亦称为光阻剂,是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术,可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。
光阻有两种,正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)
正向光阻是光阻的一种,其照到光的部分会溶于光阻显影液,而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。
负向光阻是光阻的一种,其照到光的部分不会溶于光阻显影液,而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。
4. 汽车芯片需要光刻机吗?
是的,汽车芯片生产过程中通常需要光刻机。光刻是半导体制造过程中的一个重要步骤,用于在硅片上制造微小的芯片结构和电路图案。
在汽车芯片制造过程中,光刻机被用于将芯片上的电路图案投射到光刻掩膜(photomask)上,然后再将这些图案通过光刻技术转移到硅片表面。这样可以在硅片上形成复杂的微小结构和电路图案,从而构成芯片的各种功能组件。
光刻技术在半导体制造中起到至关重要的作用,它使得芯片的制造变得更加精密和高效。对于汽车芯片,它们需要具备高可靠性、稳定性和耐久性,因为汽车芯片在汽车控制系统、传感器、安全系统等方面扮演着重要的角色。
需要指出的是,汽车芯片和传统的计算机芯片有一些区别,汽车芯片更强调对恶劣环境和长期使用的适应性,因此在芯片设计和制造过程中会考虑到更多的可靠性和耐用性因素。
5. 光刻胶化学元素?
光刻胶(photoresist,也作光致抗蚀剂,光阻),是一种由聚合物树脂(resin),光敏化合物(photoactive compound)和溶剂等混合而成的胶状液体,从成份上来讲,都是碳基有机化合物。
树脂,作为粘合剂的聚合物混合物,决定了光刻胶的机械和化学性能;
光敏化合物,决定了光刻胶的光敏感度:当受到特定波长能量束作用后,光敏化合物会分解或者聚合,激发化学反应,使受辐照区域在某些特定溶液中的溶解特性发生改变,或溶解性被增强或变得更难溶,进而形成光刻胶图案;
溶剂,则可以改变光刻胶的粘度,从而在合理的转速范围内得到所要的厚度。
6. 清华euv光刻机原理?
是利用极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)进行光刻曝光,以实现微电子芯片的制造。EUV光刻机使用的是波长为13.5纳米的极紫外光,相比传统的光刻机使用的193纳米深紫外光,EUV光的波长更短,能够实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。EUV光刻机的原理是通过使用一个称为光学系统的装置将EUV光聚焦到芯片上,然后通过掩模(Mask)上的图案来选择性地照射光刻胶(Photoresist)层。光刻胶层在光的照射下发生化学反应,形成所需的图案。然后,通过一系列的化学和物理过程,将图案转移到芯片上的硅片上,最终形成微电子芯片的结构。EUV光刻技术是当前半导体制造领域的热点技术之一。相比传统的光刻技术,EUV光刻技术具有更高的分辨率、更小的特征尺寸和更好的制造精度。它可以实现更高密度的集成电路,提高芯片性能和功能。然而,EUV光刻技术的应用还面临一些挑战,如光源稳定性、掩模技术、光刻胶的特性等。因此,清华euv光刻机的研发和应用对于推动半导体产业的发展具有重要意义。
7. 光刻胶有几个国家可以制造?
日本,中国,美国。日本的光刻胶质量是世界上最好的,产量在世界上也是最多的。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
本站涵盖的内容、图片、视频等数据系网络收集,部分未能与原作者取得联系。若涉及版权问题,请联系我们删除!联系邮箱:ynstorm@foxmail.com 谢谢支持!